삼성전자, 평택캠퍼스 반도체 3라인 본격 가동한다

사진:삼성전자 제공

 

삼성전자가 세계 최대의  반도체 생산시설인 평택캠퍼스 3라인 가동을 본격 시작한다고 밝혔다.

지난 7일 삼성전자는 평택캠퍼스에서 기자를 대상으로 미디어 투어를 진행하고 삼성전자 'DS부문장 경계현 대표이사'가 생산라인 가동 현황과 향후 계획 등을 직접 설명했다. 

삼성전자는 이날 2020년 말부터 기초공사에 들어간 평택 3라인에 올해 7월부터 낸드플래시 양산 시설을 구축하고 웨이퍼 투입을 시작했다고 설명했다. 또한 삼성전자는 또 향후 시장 수요에 맞춰 평택 3라인에 극자외선(EUV) 공정 기반의 D램과 5나노 이하 파운드리(반도체 위탁생산) 공정 등 다양한 첨단 생산시설을 확대·구축해 나간다는 방침이다.

DS부문장 경계현 대표이사 사장은 "에펠탑 29개 분량의 철근이 들어갔다"고 소개했다. 이어 "평택캠퍼스는 업계 최선단의 14나노 D램과 초고용량 V낸드, 5나노 이하의 첨단 시스템반도체가 모두 생산되는 첨단 반도체 복합 생산단지로 성장하고 있다"며 "우리나라 반도체 생태계의 중심지로 거듭날 것"이라고 강조했다.

경 사장은 또 대규모 투자로 기술 격차를 벌여나가겠다고 밝혔다. 마이크론, SK하이닉스 등 경쟁업체와의 기술 격차가 상당히 좁혀졌다는 지적에 대해 경 사장은 "연구·개발(R&D) 투자를 예전보다 적게 한 것이 원인"이라며 "R&D, 신규 팹(공장) 투자 등 개발에 자원을 더 투입해 격차를 늘려갈 것"이라고 말했다.

투자와 관련해서 경 사장은 "경기 사이클이 빨라지면서 불황기에 투자를 적게 한 것이 호황기에는 안 좋은 결과를 가지고 올 수 있다"며 "시장의 업앤다운(Up & Down)에 의존하는 것보다는 꾸준한 투자가 맞는 방향"이라고 설명했다.

다만 향후 반도체 업황은 부정적으로 봤다. 그는 "올해 하반기도 내년도 좋아질 모멘텀은 보이지 않는다"며 "다만 위기는 기회가 될 수 있다. 우리의 위치가 더 나아지는 방향으로 갈 수 있는 기회로 삼겠다"고 언급했다.

삼성전자는 4라인 착공을 위한 준비작업에도 착수했다. 회사 측은 "아직 4라인의 구체적 착공 시기와 적용 제품은 정해지지 않았지만, 향후 반도체 시장의 수요 변화에 발 빠르게 대응할 수 있도록 기초공사를 진행하고 있다"고 전했다.

경 사장은 파운드리와 관련해선 "시장점유율 격차 등을 고려할 때 TSMC를 단기간에 따라잡기가 쉽지 않은 상황임을 인정한 뒤 "여러 가지 방법으로 내용적 1등을 달성하는 방법을 모색 중"이라면서 "(그 방법으로는) 선단 노드 공정에서 이기는 방법도 있고, 주요 고객에서 이기는 방법도 있다"고 말했다.

인수·합병(M&A) 추진 상황과 관련해선 "어디라고 밝힐 수는 없지만 (M&A를) 모색하고 있고 우선순위를 정해 검토하고 있다"고만 답했다.

-디케이뉴스 김정현